项目名称：衢州市衢江区工业投资发展有限公司  衢江集成电路产业园项目一期

建设地点：衢江经济开发区金凤路

建设内容及规模：项目总用地198.3亩，一次性规划设计，分期建设。总建筑面积38万m²，生产8英寸大功率高压IGBT、封测产品（驱动IC）、MOS产品、大功率器件、先进光学设备、玻璃非球面镜片、先进半导体设备等产品。

用地面积：198.3亩

建筑面积：73127.24平方米